고순도 실리콘 분말의 합성 공정
박막은 반응 가스 및 캐리어 가스로서 기판과 메틸 클로로알칸/수소로 플레이크 흑연을 가진 화학 증기 증착에 의해 1250 ~ 1350°C로 증착되었다. 이어서, 입자 크기가 200~1200미크론인 고순도 실리콘 분말은 산화, 절임 및 분쇄에 의해 얻어졌다.
고순도 및 고순도 실리콘 분말은 이 방법에 의해 제조되었지만, 후속 공정은 복잡했고, 원료는 비싸고 수율이 낮았다.
W. Zhu 외.는 화학 증기 증착에 의해 1200 ~ 1400 °C에서 초미세 및 고순도 분말을 생산했으며, 시란과 아세틸렌을 반응 가스및 수소로 운반가스로 사용하였다.
Hexamethylsilane을 반응 소스로 사용하여 수소 및 아르곤을 캐리어 가스로 사용하여, 아나우타 등은 또한 1050 ~ 1250 ° C의 화학 증기 증착에 의해 초미세 고순도 및 고순도 실리콘 분말을 제조했다.
두 그룹 모두 화학 증기 증착(CVD)을 사용하여 유기 가스 공급원으로부터 고순도 실리콘 분말을 생산했습니다. 그러나, 그것은 만들어지는 나노 스케일 초미세 분말입니다. 순도가 높지만 수집하기 쉽지 않으며, 고순도 고순도 실리콘 분말의 대량 생산에 적합하지 않으며, 이는 후기 산업화의 발전에 도움이되지 않는다.
자동 변속기 제조 방법
이 방법에서 실리카 분말과 카본 블랙은 원료로 사용되었고, 다른 활성제는 1000 ~ 1150°C에서 직접 분말을 생산하기 위해 첨가되었다. 촉매의 도입은 필연적으로 고순도 실리콘 분말의 순도와 품질에 영향을 미칠 것입니다.
따라서, 많은 연구자들은 이 기초에 개선된 자기 전파 합성 방법을 제안했습니다. 주요 개선사항은 활성제의 도입을 피하고 제조 온도 및 연속 가열을 증가시켜 지속적이고 효율적인 제조 반응을 보장하는 것입니다.
1999년 초, 에틸 오실리케이트를 실리콘 소스로, 탄소원으로 페놀 수지를 사용하는 일본은 연소 방법을 사용하여 10~ 500μm 분말의 입자 크기를 생성하며, 불순물 함량의 질량 분수는 0.5×10-6 미만이다.
그러나, 이 방법의 반응제는 유기물을 사용하므로 원료 비용이 높기 때문에 고순도 실리콘 분말의 대규모 생산에 도움이 되지 않는다. 중국 과학아카데미의 상하이 실리콘 연구소의 연구원들은 고온에서 아르곤 의 대기에서 99.9%와 99.999%의 질량 분수를 생산했습니다.
외는 활성탄(입자 크기 20-100 미크론) 및 플레이크 흑연(입자 크기 5-25 미크론)을 탄소원으로 사용하였다(질량 분획 99.9%) 실리콘 소스로 고순도 실리콘 (입자 크기 10-270 미크론, 질량 분수 99.999%) 각각.
고순도 실리콘 분말은 1900 °C에서 아르곤의 대기 하에서 진공 소결 로에서 제조되었다. 결과는 고진공 실리콘 분말의 순도가 캐리어 가스보다 더 낫다는 것을 보여줍니다. 또한, 고진공 하에서 생산되는 고순도 실리콘 분말은 단일 결정을 성장시키는 데 사용된다. 그 결과, 성장한 단일 결정은 높은 순도와 우수한 반절연 특성을 가지고 있으며, 이는 관련 장치에 대한 반 절연 기판의 요구 사항을 충족시합니다. 고순도 분말 제조 기술의 전망
개선된 자체 전파 제조는 낮은 원료 비용과 간단한 공정으로 인해 실험실에서 단일 결정을 성장시키는 일반적인 방법입니다. 다른 제조 공정 파라미터가 제조 제품에 일정한 영향을 미치는 것으로 나타났습니다.
오늘, 다음과 같은 측면에서 연구를 강화 할 필요가있다 :
1. 고순도 실리콘 분말의 제조 메커니즘은 깊이, 특히 입자 크기, 모양, 입자 크기 분포 및 순도와 같은 파라미터를 효과적으로 제어하는 기본 이론을 심층으로 연구하였다.
2. 자동 변속기의 고순도 실리콘 분말 제조 방법을 개선하기 위한 연구를 더욱 강화하는 방법, 좋은 품질과 높은 순도로 고순도 분말을 제조하기 위해, 저렴한 비용과 간단한 공정에 기초하여 단결정 성장에 적합한, 따라서 효과적으로 SiC 단일 결정 기판의 성장의 품질을 향상 , 중국의 응용 장비 산업의 발전을 촉진합니다.
